Archivio Istituzionale della RicercaSfoglia per Serie CONFERENCE RECORD, INDUSTRY APPLICATIONS SOCIETY, IEEE-IAS ANNUAL MEETING
P.M. assisted synchronous reluctance drive for minimal hybrid application
2004 Vagati, Alfredo; Pellegrino, GIAN - MARIO LUIGI; Giraudo, G.; Guglielmi, Paolo
Robustness Evaluation of MOSFETs by Equivalent Cell Behavioral Model of the Gate Parasitic Resistance
2007 Chimento, F.; Musumeci, S.; Raciti, A.; Sannino, S.; Magri, A.; Melito, M.; Zara, F.
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| P.M. assisted synchronous reluctance drive for minimal hybrid application / Vagati, Alfredo; Pellegrino, GIAN - MARIO LUIGI; Giraudo, G.; Guglielmi, Paolo. - STAMPA. - 1:(2004), pp. 299-306. (Intervento presentato al convegno 2004 IEEE Industry Applications Conference; 39th IAS Annual Meeting tenutosi a Seattle (USA) nel 3-7 October 2004) [10.1109/IAS.2004.1348424]. | 1-gen-2004 | VAGATI, AlfredoPELLEGRINO, GIAN - MARIO LUIGIGUGLIELMI, Paolo + | - |
| Robustness Evaluation of MOSFETs by Equivalent Cell Behavioral Model of the Gate Parasitic Resistance / Chimento, F.; Musumeci, S.; Raciti, A.; Sannino, S.; Magri, A.; Melito, M.; Zara, F.. - ELETTRONICO. - (2007), pp. 350-357. (Intervento presentato al convegno IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (IAS) tenutosi a New Orleans, LA, USA nel 23-27 September 2007) [10.1109/07IAS.2007.48]. | 1-gen-2007 | S. Musumeci + | Robustness_Evaluation_of_MOSFETs_by_Equivalent_Cell_Behavioral_Model_of_the_Gate_Parasitic_Resistance.pdf |
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